Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H - Université de Lyon Access content directly
Conference Papers Year : 2012

Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H

Abstract

Ce papier présente et compare des différentes protections périphériques de diode bipolaire en SiC-4H avec pour cible une tenue en tension de 10 kV. Les diodes fabriquées sont protégées avec une simple combinaison entre la gravure MESA et la poche latérale (JTE: Junction Termination Extension) ou MESA-JTE avec anneaux de JTE. Une tenue en tension de 10 kV a été obtenue sur les meilleures diodes. Les résultats de mesures ont également montré que les anneaux de JTE permettent d’améliorer l’efficacité de la protection périphérique des diodes.
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Dates and versions

hal-04560471 , version 1 (26-04-2024)

Identifiers

  • HAL Id : hal-04560471 , version 1

Cite

Duy Minh Nguyen, Runhua Huang, Bertrand Vergne, Pascal Bevilacqua, Philippe Godignon, et al.. Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H. 14ème Conférence Electronique de Puissance du Futur (EPF 2012), Jul 2012, Bordeaux, France. ⟨hal-04560471⟩
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